12月11-13日，在美国旧金山举行的“2006年国际电子器件会议（2006 IEDM）”上，AMD表示：2008年中期，AMD将生产采用湿浸式微影技术、超低k值互联介质、增强应变硅技术的45纳米芯片。用液体代替空气浸泡硅晶圆，可以降低光的波长，比原来的光刻技术提高40%的效率。如果成功，AMD有望将与英特尔的技术差距缩短为六个月。
芯片制造商开发更小芯片取决于利益的驱动，通过提高制造工艺来降低成本。尽管每次工艺的提高都需要投入几十亿美元，但是可以成倍增加硅晶圆上芯片的生产数量，极大地降低了成本。但是在45纳米晶体管和导线的制作过程中，硅晶圆上任何一点小灰尘都可能毁坏整个处理器。低效的制作工艺必然减少每个硅晶圆可以生产芯片的数量，从而降低利润。另一个重要的问题是65纳米和45纳米的制作工艺，比目前光刻机的波长低很多。
为了解决这些问题，AMD表示他们将采用三种新的技术来提高生产效率。光刻机成本极其昂贵，也无法通过第三方厂商获得，芯片制造商都自己生产，英特尔在65纳米工艺中采用交互相移掩模技术，这项技术可用原有的193nm波长制作35nm的线宽，从而能够让193纳米波长的光刻设备继续用于65纳米工艺的芯片制造中，而该设备此前广泛用于90纳米精度的芯片生产中。极大的降低65纳米工艺的实施成本，芯片的量产工作也得以快速实现。 |
